Solució de poliment de fosfur de gal·li
Introducció
El fosfur de gal·li (GaP), com a material semiconductor compost de segona-generació, ocupa una posició important en els camps de l'optoelectrònica i la microelectrònica a causa de les seves propietats físiques i òptiques úniques. Presenta una alta mobilitat del portador, una excel·lent estabilitat tèrmica i una característica de banda intermitent que es troba entre les bandes intermitents directes/indirectes de l'arseniur de gal·li (GaAs) i el nitrur de gal·li (GaN). S'utilitza àmpliament en díodes emissors de llum (LED) d'alta-eficiència-, díodes làser, dispositius fotoelèctrics d'alta-velocitat i pantalles d'alta-brillantor. Tanmateix, els cristalls de GaP són durs i trencadissos amb diferents plans d'escissió. La qualitat de poliment de precisió del substrat GaP i la superfície del dispositiu determina directament la qualitat del creixement epitaxial i l'eficiència i fiabilitat de la conversió fotoelèctrica del dispositiu final.
Hemei Company té una gran experiència en el processament de materials semiconductors compostos. Aprofitant una comprensió profunda de les característiques del material GaP, hem desenvolupat una solució de polit i planarització que equilibra altes taxes d'eliminació de material amb una integritat superficial excepcional. Aquest procés permet un tractament superficial d'alta-precisió des de l'etapa del substrat fins al processament de dispositius post-epitaxial, assegurant que compleix els estrictes requisits dels dispositius fotoelèctrics-de gamma alta per a superfícies atòmicament llises, capes de danys ultra{-baixes i una integritat perfecta de la gelosia.
Requisits d'aplicació
Els objectius per al polit i el tractament superficial dels materials GaP inclouen:
Reducció de la rugositat superficial (Ra) a<0.5 nm to ensure high-quality epitaxial growth and low optical scattering loss.
Aconseguint la planitud de la superfície amb una variació total del gruix (TTV) inferior o igual a 1 μm i una variació local del gruix (LTV) superior a aquest valor.
Produir superfícies lliures de rascades, micro-esquerdes i danys a la sub-superfície, satisfent les exigències de rendiment dels LED i dispositius làser d'alta-brillante.
Assegureu-vos la compatibilitat de processos amb substrats GaP semi-aïllants i conductors, i admet mides d'hòsties de 2 a 6 polzades.
Per assolir aquests objectius, el procés Hemei utilitza sistemes d'unió personalitzats i un flux de poliment de diversos-passos, que garanteixen la precisió geomètrica i la integritat de la superfície durant tot el procés de mecanitzat.
Especificacions del sistema
El sistema de poliment modular d'Hemei admet el processament d'hòsties/cristalls GaP de diferents mides i formes. El sistema bàsic inclou:
Equip de lligat de la sèrie HSM-L/LP: s'utilitza per a l'eliminació de material inicial i el control del gruix.
Sistema de poliment mecànic i químic de la sèrie HSM-CMP: s'utilitza per aconseguir superfícies ultra-llises i lliures de danys-.
Subsistemes clau:
Unitat d'enllaç (WB) específica per a hòsties/cristalls-.
Accessoris de poliment de precisió de la sèrie SJ/ASJ.
C-Sistema de poliment d'alta-velocitat del capçal d'accionament ASJ.
Flux del procés
Unió i muntatge: la mostra GaP s'uneix temporalment a una placa portadora mitjançant la unitat d'unió WB i després es munta a l'aparell de poliment.
Polit en brut i intermedi: es realitza un llapat controlat a l'equip HSM-L per eliminar la capa de danys de mecanitzat.
Poliment fi: s'utilitza el sistema HSM-CMP per al poliment final. Els paràmetres com la pressió, la velocitat de rotació i el cabal de purins s'ajusten en temps real-per aconseguir una suavitat de la superfície a escala nanomètrica.
Resultats típics
Rugositat superficial Ra < 0,5 nm
Variació total del gruix (TTV) Menor o igual a 1 μm, Variació local del gruix (LTV) Menor o igual a 0,3 μm
Taxa d'eliminació de material estable i controlable; La taxa d'eliminació típica durant el polit fi és de 0,1-0,5 μm/min (ajustable).
Apte per a hòsties GaP amb diàmetres inferiors o iguals a 4 polzades.
Resum
Hemei Company ofereix una solució de polit i planarització completa i fiable per a materials de fosfur de gal·li (GaP). Aquesta solució ofereix constantment una qualitat de superfície a nivell d'àtom-i un rendiment fotoelèctric excel·lent, donant suport a l'avenç de la industrialització GaP i la millora del rendiment del dispositiu en camps-de gamma alta com ara la comunicació 5G, els dispositius fotoelèctrics, les càrregues útils per satèl·lit i l'electrònica d'alta-velocitat.
